с2655 транзистор чем заменить
Транзистор 2SC2625
2SC2625 — кремниевый, со структурой NPN, диффузионный планарный транзистор для высокоскоростных высоковольтных переключающих цепей. Конструктивное исполнение – TO-3(P/PN).
Корпус, цоколевка и размеры
Предназначение
Транзистор разработан для применения в силовых переключающих цепях индуктивного характера, как-то: импульсных регуляторах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах, силовых усилителях общего назначения.
Характерные особенности
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.
Предельные эксплуатационные характеристики
Характеристика | Обозначение | Величина |
---|---|---|
Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 450 |
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
Ток коллектора постоянный, А | IC | 10 |
Ток коллектора импульсный, А | ICM | 20 |
Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
Предельная рассеиваемая мощность, Вт, при TC = 25°C | PC | 80 |
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150°C |
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, °С | Tstg | |
Тепловое сопротивление p-n переход – корпус транзистора, °С/Вт | RƟJС | 1,56 |
Электрические параметры
Примечание: данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора: зависимость коллекторного тока IC от величины напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы (управления) IB.
Характеристика снята при температуре корпуса TC = 25°C.
Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика получена для трех значений температуры корпуса транзистора, при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Характеристики получены при соотношении токов IC/IB = 5 и при температуре корпуса транзистора TC = 25°C.
Рис. 4. Зависимости временных характеристик транзистора ton, ts, tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Рис. 5. Область безопасной работы транзистора.
Характеристики ограничения нагрузок по току и напряжению сняты при температуре корпуса TC = 25°C в режиме одиночного импульса тока (надпись в поле рисунка) разных длительностей PW: 50 мкс, 100 мкс, 200 мкс, 500 мкс и 1 мс.
Рис. 6. Ограничение величины рассеиваемой мощности PC транзистора при нарастании температуры корпуса TC.
Led а CHIPINFO.RU пробовал?
Добавлено 06-05-2007 20:34
ссылка скрыта от публикации
Это информационный блок по ремонту телевизоров
Неисправности ТВ
Если у вас есть вопрос по неисправности телевизора и определении дефекта, Вы должны создать свою, новую тему в форуме. По этой теме в форуме уже рассмотрены следующее:
Начинающие мастера, и не только, часто ищут принципиальные схемы, схемы соединений, блоков питания, пользовательские и сервисные инструкции. На сайте они размещены в специально отведенных разделах и доступны к скачиванию гостям, либо после создания аккаунта:
Большинство справочной литературы можно скачать в каталоге «Энциклопедия ремонта», и на отдельных страницах:
При создании вопросов по электронным компонентам используемых в телевизионной аппаратуре, указывайте точный тип корпуса, либо фотографию. Наиболее распространены:
Programmer (программатор)
Это устройство для записи (считывания) информации в память микросхем или другое устройство. При смене прошивки телемастера выбирают программаторы, недостатки и достоинства которых рассмотрены в отдельных темах:
Краткие сокращения
Желающим подключиться к обсуждениям
После регистрации аккаунта на сайте Вы сможете опубликовать свой вопрос или отвечать в существующих темах. Участие абсолютно бесплатное.
Возможность поиска по всему сайту и файловому архиву появится после регистрации. В верхнем правом углу будет отображаться форма поиска по сайту.
Характеристики транзистора D5072 (2SD5072)
Высоковольтный биполярный кремниевый транзистор D5072 по характеристикам отлично подходил для применение в импульсной радиотехнике и электронике. А изначально разрабатывался и предназначался для систем строчной развёртки цветных кинескопных телевизоров.
Он выполнен в корпусе ТО-3PML с буквенной маркировкой D5072 (первые 2S символа обычно пропускают) и с тремя металлическими выводами (Б, К, Э). Внутри корпуса транзистора, между эмиттером и коллектором встроен, диод, который служит для погашения импульсов ЭДС в цепях с индуктивной нагрузкой. Электронная проводимость радиоэлемента соответствует типу N-P-N.
Цоколевка
Корпус транзистора герметичный и непрозрачный. Он выполнен из материала, представляющего сложную композицию, состоящую из полимерной основы с примесью фенолформальдегидной смолы и других добавок.
Внутри корпуса располагается кристалл кремния, состоящий из трёх частей – базы, коллектора и эмиттера, которые соединены с контактами 1, 2, 3. Цоколевка D5072 указана на рисунке.
Помимо выводов в корпус встроен (кристаллодержатель) металлический теплоотвод с отверстием для установки на внешний радиатор.
Транзистор D5072 промаркирован в соответствии с японским промышленным стандартом JIS и считается комбинацией в системах обозначений Pro-Electron и JEDEEC.
Маркировка 2SD5072 расшифровывается следующим образом: Цифра 2 обозначает тип радиокомпонента – транзистор. Буква S указывает, что это полупроводник. Буква D определяет класс – низкочастотный с PNP переходом. Число 5072 обозначает номер разработки.
Режимы работы
Биполярный транзистор D5072 может работать в следующих режимах:
В этом режиме при разнице значений между базой и эмиттером примерно на 0,6V база-эмиттерный переход закрывается, так как ток базы отсутствует. Вследствие того, что в базовом слое нет свободных электронов, коллекторный ток также перестает протекать. В результате всего этого транзистор переходит в режим отсечки. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в открытом положении.
В этот режим транзистор переходит в результате увеличения базового тока до предельной величины, из-за которой р-п переход открывается. Значение тока в этом режиме зависит от величины питающего напряжения цепи и нагрузки, возникающей на коллекторе. В этом случае входной сигнал не усиливается, так как коллекторный ток не реагирует на изменение базового тока. Таким образом, транзистор можно использовать как ключ в закрытом положении.
В этом режиме используется для усиления сигнала. На базу подаётся разность потенциалов, вследствие чего открывается база-эмиттерный переход. В результате, в транзисторе начинается движение коллекторных и базовых токов. В итоге радиокомпонент выполняет свою основную задачу.
В подобном режиме транзистор используют в качестве диода с последовательно подключённым резистором. С этой целью базу соединяют с коллектором напрямую или через небольшое сопротивление. Таким образом, транзистор используют в высокочастотных устройствах и для уменьшения числа компонентов в схеме
Характеристики
К основным и важным параметрам биполярного транзистора 2SD5072 относятся следующие показатели:
Кроме выше перечисленных существует ещё целый ряд параметров, влияющих на окончательное решение при выборе транзистора для конкретной схемы.
Максимально допустимые параметры
Электрические параметры транзистора
Параметр | Обозначение | Тип измерения | Допустимое отклонение |
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер | UCE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A | ± 5,0 V |
Напряжение насыщения база-эмиттер | UBE (SAT) | IC = 4A, IB = 0,8A | ± 1,5 V |
Ток отключения коллектора | ICBO | UCB=800V,IE=0 | ± 10 µA |
Ток отключения эмиттера | IEBO | UEB=800V, IC=0 | от 40 до 200 mA |
Коэффициент усиления по постоянному току | hFE | UCE=5V, IC=1A | ± 8 |
Прямое падение напряжения на защитном диоде | UECF | IF=5A | ± 2,0 V |
Частота перехода | fT | UCE=10V, IC=1A | = 3 MHz |
Время спада | TF | IC = 1A,IB1=0,8A, IB2=1,6A,RL=50Ω, UCC=200V | ± 0,4 µS |
Воздействие температуры
При изменении температуры D5072 начинает работать нестабильно, и это является его большим недостатком. С повышением температуры увеличивается начальный коллекторный ток. В результате происходит изменение характеристик P-N перехода. Меняются обратные токи и коэффициент усиления.
Поэтому при подборе транзистора следует обращать внимание на диапазон температур, при которых он будет работать стабильно.
Схема включения
Теперь приведёт три основные схемы включения, это:
Графически данные
Ниже представлено три графика:
Аналоги
Транзистор 2SD5072 имеет следующие аналоги:
Причём корпус транзистора KSD5072 и 2SD5072 маркируется одинаково (D5072).
Производители
Транзистор 2SD5072 (datasheet по клику на название) производится сразу несколькими фирмами такими как:
На российском рынке преимущество имеют транзисторы производителя Inchange Semiconductor.
С2655 транзистор чем заменить
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
JMCJ писал: |
Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще
Сообщение Администрации : | ||||||||||||
Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы
Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24
Тема: Выходные транзисторы
Опции темы
Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?
Спасибо ИГВИН, такой инфо у меня не было.
Ну а если брать в расчет звуковые качества, а не параметры? Ведь уже доказано, что эти вещи не всегда связаны.
Все таки за пальму первенства у Дмитрия Андронникова борятся Санкены и Моторола. Так что же лучше звучит?
Добавлено через 10 минут
Чтобы полноценно заменить биполярник в выходном каскаде, требуется 3..4 параллельно включеных полевика.
Ну нет конечно, менялась вся обвязка. Схема была с токовой ОС (подобна Рыси). Звук и тот и тот был отличным, просто есть нюасы, которые я описал.
Если сравнивать по крутизне, так и есть.
Добавлю от себя. Транзисторы, что я так или иначе использовал в выходных каскадах по своим предпочтениям расположу в следующем порядке:
1) биполярники ONS MJ15024\15025,
2) биполярники ONS MJL21193\21194
3) биполярники Sanken 2SA1215\2SC2921
4) биполярники Sanken 2SA1216\2SC2922
5) биполярники ONS MJL1302\3281
6) биполярники Toshiba 2SA1943\2SC5200
7) полевики Magnatec BUZ900DP\BUZ905DP
8) полевики Hitachi 2SJ49\2SK134
9) биполярники Toshiba 2SA1942\2SC5199
10) полевики Toshiba 2SJ201\2SK1530
11) биполярники Sanken 2SA1186\2SC2837
12) полевики Hitachi 2SJ162\2S1058
13) полевики Toshiba 2SJ115\2SK405
14) IGBT Toshiba GT20D101\GT20D201
15) полевики IR IRF240\IRF9240
Были и иные транзисторы, но указанные типы я имел возможность подбирать и сравнивать в однотипных схемах.
На мой слух все полевики обладают несколько упрощенным звучанием (в примерно равных условиях с биполярами), имеют явные проблемы с басом в виде его рыхлости и гипертрофированности из-за большего выходного сопротивления повторителей, а Тошиба и Ректифаер еще и добавляют некоторую грязь на ВЧ. лучшими из полевиков, мною опробованных, я бы назвал пару 2SJ49\2SK134 при условии соединения параллельно не менее 3. 4 транзисторов в плечо и BUZ900DP\BUZ905DP без параллеленья. Но в любом случае, по моему мнению, MJ15024\15025 и MJL21193\21194 существенно превосходят названные ПТ практически во всех отношениях. Несколько уступают им наиболее мощные санкены, в основном по динамике и управляемости баса и разрешению нижней серединки. На верхних частотах при правильном выборе тока покоя 2SA1215\2SC2921 дают несколько лучшие результаты, но, в общей картине они уступают.
- с2000м неисправность 1 что значит
- с119140 что это в косметике